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Atomic scale nanoelectronics for quantum neuromorphic devices: comparing different materials

机译:用于量子神经形态装置的原子尺度纳米电子学:比较   不同的材料

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摘要

I review the advancements of atomic scale nanoelectronics towards quantumneuromorphics. First, I summarize the key properties of elementary combinationsof few neurons, namely long-- and short--term plasticity, spike-timingdependent plasticity (associative plasticity), quantumness and stochasticeffects, and their potential computational employment. Next, I review severalatomic scale device technologies developed to control electron transport at theatomic level, including single atom implantation for atomic arrays and CMOSquantum dots, single atom memories, Ag$_2$S and Cu$_2$S atomic switches,hafnium based RRAMs, organic material based transistors, Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$synapses. Each material/method proved successful in achieving some of theproperties observed in real neurons. I compare the different methods towardsthe creation of a new generation of naturally inspired and biophysicallymeaningful artificial neurons, in order to replace the rigid CMOS basedneuromorphic hardware. The most challenging aspect to address appears to obtainboth the stochastic/quantum behavior and the associative plasticity, which arecurrently observed only below and above 20 nm length scale respectively, byemploying the same material.
机译:我回顾了原子尺度纳米电子学向量子神经形态学的进展。首先,我总结了少数神经元基本组合的关键特性,即长期和短期可塑性,依赖于尖峰时序的可塑性(缔合可塑性),量子和随机效应及其潜在的计算应用。接下来,我回顾几种在原子级控制电子传输的原子尺度器件技术,包括用于原子阵列和CMOS量子点的单原子注入,单原子存储器,Ag $ _2 $ S和Cu $ _2 $ S原子开关,ha基RRAM,有机材料基晶体管,Ge $ _2 $ Sb $ _2 $ Te $ _5 $突触。每种材料/方法都被证明可以成功实现在真实神经元中观察到的某些特性。我比较了创建新一代自然启发和具有生物物理意义的人工神经元的不同方法,以取代基于CMOS的刚性神经形态硬件。要解决的最具挑战性的方面似乎是通过使用相同的材​​料获得随机/量子行为和缔合可塑性,它们目前仅分别在长度小于或等于20 nm时才观察到。

著录项

  • 作者

    Prati, Enrico;

  • 作者单位
  • 年度 2016
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种
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